Diamantes cultivados en laboratorio: HPHT y CVD
El diamante se cultiva por dos vías. El crecimiento a alta presión y alta temperatura (HPHT) imita las condiciones del manto. El carbono y una pequeña semilla de diamante se alojan en un disolvente metálico fundido, por lo común hierro, níquel o cobalto, dentro de una prensa de cinturón, cúbica o de esfera partida. El crecimiento de calidad gema transcurre a unos 5–6 GPa y 1,300–1,600 °C. En General Electric, Tracy Hall logró una síntesis reproducible el 16 de diciembre de 1954 con una prensa de cinturón, grafito y un catalizador de sulfuro de hierro a unos 7 GPa y 1,600 °C, y el equipo publicó en Nature en 1955. Los investigadores de la empresa sueca ASEA habían obtenido diamante en 1953, pero no lo comunicaron entonces, y el mérito de la primera síntesis se sigue discutiendo. Herbert Strong y Robert Wentorf, de General Electric, llegaron a cultivar cristales de calidad gema de hasta 6 mm de ancho a lo largo de varios días.
El depósito químico en fase vapor (CVD) construye el diamante a partir de un gas. El hidrógeno con una pequeña fracción de hidrocarburo, por lo general menos del 10% de metano, se excita hasta formar un plasma a unos 20–500 mbar, y el carbono se deposita capa a capa sobre placas de semilla mantenidas a 600–1,200 °C. Los cristales CVD crecen a menudo pardos y con frecuencia reciben un tratamiento HPHT posterior al crecimiento.
Ambas vías dan diamante real. Desde julio de 2019 GIA emite un Laboratory-Grown Diamond Report que indica el método de crecimiento.