实验室培育钻石:高温高压法与化学气相沉积法
钻石有两条生长路线。高温高压(HPHT)生长模拟地幔中的条件。碳和一小块钻石籽晶置于熔融金属溶剂中,通常是铁、镍或钴,再放入带式、立方或分球式压机。宝石级生长的条件约为 5–6 GPa 和 1,300–1,600 °C。在通用电气,特雷西·霍尔于 1954 年 12 月 16 日在带式压机中用石墨和硫化铁催化剂、在约 7 GPa 和 1,600 °C 下实现了可重复的合成,该团队于 1955 年在 Nature 上发表结果。瑞典 ASEA 公司的研究人员早在 1953 年就制得了钻石,但当时未予报道,首次合成的归属至今仍有争议。通用电气的赫伯特·斯特朗和罗伯特·温托夫后来用数天时间培育出直径达 6 mm 的宝石级晶体。
化学气相沉积(CVD)从气体中构建钻石。氢气混以少量碳氢化合物,通常甲烷不足 10%,在约 20–500 mbar 下被激发为等离子体,碳逐层沉积在保持 600–1,200 °C 的籽晶片上。CVD 晶体常带褐色,因此经常在生长后再作 HPHT 处理。
两条路线得到的都是真正的钻石。自 2019 年 7 月起,GIA 出具注明生长方法的实验室培育钻石报告。